Datasheet STP13NK60Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP13NK60Z
Купить STP13NK60Z на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 384 ₽ 46 предложений от 22 поставщиков N-channel 600V, 0.48Ω, 13A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET | |||
STP13NK60Z STMicroelectronics | 21 ₽ | ||
STP13NK60Z STMicroelectronics | 69 ₽ | ||
STP13NK60Z STMicroelectronics | 220 ₽ | ||
STP13NK60Z(E) STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
STP13NK60Z/FP, STB13NK60Z STB13NK60Z-1, STW13NK60Z
N-CHANNEL 600V-0.48-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247
Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP13NK60Z STP13NK60ZFP STB13NK60Z STB13NK60Z-1 STW13NK60Z
s s s s s s
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 13 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 550 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
- Current Id Max: 13 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 550 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 150 Вт
- Pulse Current Idm: 52 А
- SMD Marking: STP13NK60Z
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5