Datasheet STP35NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP35NF10
Купить STP35NF10 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 334 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | |||
STP35NF10 STMicroelectronics | 11 ₽ | ||
STP35NF10 STMicroelectronics | 26 ₽ | ||
STP35NF10 STMicroelectronics | от 170 ₽ | ||
STP35NF10 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
STP35NF10 STB35NF10
N-CHANNEL 100V - 0.030 - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFETTM POWER MOSFET
TYPE STP35NF10 STB35NF10
s s s s
VDSS 100 V 100 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 35 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 13mJ
- Capacitance Ciss Typ: 1550 пФ
- Current Id Max: 40 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 35 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Pin Configuration: А
- Power Dissipation Pd: 115 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 115 Вт
- Pulse Current Idm: 160 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 160 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5