Datasheet STP40NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP40NF10 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 227 ₽ 51 предложений от 22 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; STripFETTM II; полевой; 100В; 35А; 150Вт
Стандарт СИЗ Россия	STP40NF10L STMicroelectronics	14 ₽	Купить
Akcel Весь мир	STP40NF10 STMicroelectronics	от 38 ₽	Купить
Элитан Россия	STP40NF10 STMicroelectronics	210 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	STP40NF10C STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD40NF10 STP40NF10
N-channel 100V - 0.025 - 50A TO-220 / DPAK Low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
Features
Type STD40NF10 STP40NF10
VDSS 100V 100V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 50 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 28 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 385mJ
• Capacitance Ciss Typ: 2180 пФ
• Current Id Max: 50 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 28 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Pin Configuration: А
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 150 Вт
• Pulse Current Idm: 200 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 90 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5