Datasheet STQ1NK60ZR-AP - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 0.3 А TO92 — Даташит

STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP

Наименование модели: STQ1NK60ZR-AP

Купить STQ1NK60ZR-AP на РадиоЛоцман.Цены — от 6.08 до 51 ₽ 30 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 400 мА, 13 Ом, TO-92, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics	6.08 ₽
Akcel Весь мир	STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics	от 15 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics	18 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	STQ1NK60ZR-AP	по запросу

Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 0.3 А TO92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD1LNK60Z-1 STQ1NK60ZR-AP - STN1NK60Z
N-channel 600V - 13 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STD1LNK60Z-1 STQ1NK60ZR-AP STN1NK60Z
VDSS 600V 600V 600V

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 400 мА
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 13 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 30 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-92
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: 300 мА
Тип корпуса: TO-92
Power Dissipation Pd: 3 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STQ1NK60ZRAP, STQ1NK60ZR AP