HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STS6NF20V - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

STMicroelectronics STS6NF20V

Наименование модели: STS6NF20V

31 предложений от 15 поставщиков
N-channel 20v - 0.030 w - 6a so-8 2.7v-drive stripfetTM ii power mosfet
STS6NF20V
STMicroelectronics
10 ₽
Akcel
Весь мир
STS6NF20V
STMicroelectronics
от 21 ₽
ЧипСити
Россия
STS6NF20V
STMicroelectronics
69 ₽
Контест
Россия
STS6NF20V
84 ₽
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
N-CHANNEL 20V - 0.030 - 6A SO-8 2.7V-DRIVE STripFETTM II POWER MOSFET
TYPE STS6NF20V
s s s
STS6NF20V
VDSS 20 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 45 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 6 А
  • Fall Time tf: 10 нс
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 40 МОм
  • Тип корпуса: SOIC
  • Pin Configuration: (1+2+3) с, 4 г, (8+7+6+5)D
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Pulse Current Idm: 24 А
  • Rise Time: 33 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.7 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STS6NF20V - STMicroelectronics MOSFET, N, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России