Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet VNS14NV04TR-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор OMNIFETII 40 В 12 А SO-8 — Даташит

STMicroelectronics VNS14NV04TR-E

Наименование модели: VNS14NV04TR-E

17 предложений от 11 поставщиков
new in stock for immediate delivery
Akcel
Весь мир
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
от 59 ₽
Utmel
Весь мир
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
от 59 ₽
AiPCBA
Весь мир
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
102 ₽
ТаймЧипс
Россия
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор OMNIFETII 40 В 12 А SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VNB14NV04, VND14NV04 VND14NV04-1, VNS14NV04
"OMNIFET II" fully autoprotected Power MOSFET
Features
TYPE VNB14NV04 VND14NV04 VND14NV04-1 VNS14NV04
RDS(on)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 35 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 12 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 4.6 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 45 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

VNS14NV04TRE, VNS14NV04TR E

На английском языке: Datasheet VNS14NV04TR-E - STMicroelectronics MOSFET OMNIFETII 40 V 12 A SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России