Datasheet STB11NM60N-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А I2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB11NM60N-1

Наименование модели: STB11NM60N-1

Купить STB11NM60N-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 849 до 855 ₽ 12 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Akcel Весь мир	STB11NM60N-1 STMicroelectronics	от 849 ₽
Utmel Весь мир	STB11NM60N-1 STMicroelectronics	от 855 ₽
МосЧип Россия	STB11NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу
ЗУМ-СМД Россия	STB11NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А I2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx11NM60N
N-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK
Features
Type STB11NM60N-1 STB11NM60N STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@TJmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 ID
1 2

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 5 А
On State Resistance: 370 МОм
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: I2-PAK
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Тип корпуса: I2-PAK
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STB11NM60N1, STB11NM60N 1