Datasheet STP21NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP21NM60N

Наименование модели: STP21NM60N

Купить STP21NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 95 до 428 ₽ 12 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
Akcel Весь мир	STP21NM60N STMicroelectronics	от 95 ₽
Utmel Весь мир	STP21NM60N STMicroelectronics	от 96 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	STP21NM60N STMicroelectronics	по запросу
T-electron Россия и страны СНГ	STP21NM60N STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP21NM60N-STF21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N - STB21NM60N-1
N-CHANNEL 600V - 0.19 - 17 A TO-220/FP/DІ/IІPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmeshTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STB21NM60N STB21NM60N-1 STF21NM60N STP21NM60N STW21NM60N
Figure 1: Package

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 17 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 220 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 25 В
Корпус транзистора: TO-220
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Avalanche Single Pulse Energy Eas: 610mJ
Capacitance Ciss Typ: 1950 пФ
Current Iar: 8.5 А
Current Id Max: 17 А
On State resistance @ Vgs = 10V: 220 МОм
Тип корпуса: TO-220
Power Dissipation Pd: 140 Вт
Pulse Current Idm: 64 А
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Voltage Vds: 600 В
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 4 В
Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS