Datasheet Texas Instruments CSD16409Q3 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD16409Q3 |
Модель | CSD16409Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs, CSD16409Q3 datasheet
PDF, 196 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 21 май 2010
Выписка из документа
Цены
Купить CSD16409Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 118 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков N-channel ciclon nexfet power mosfets | |||
CSD16409Q3 Texas Instruments | 24 ₽ | ||
CSD16409Q3 Texas Instruments | 36 ₽ | ||
CSD16409Q3 Texas Instruments | 50 ₽ | ||
CSD16409Q3 Texas Instruments | 55 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DQG |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | CSD16409 |
Width (мм) | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 |
Thickness (мм) | 1 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 90 A |
Корпус | SON3x3 мм |
QG Typ | 4 nC |
QGD Typ | 1 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 9.5 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=10V | 8.2 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 12.4 mOhms |
VDS | 25 В |
VGS | 16 В |
VGSTH Typ | 2 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor