Datasheet Texas Instruments CSD17302Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17302Q5A |
| Модель | CSD17302Q5A |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 30 В 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
30V, N-Channel NextFET Power MOSFET datasheet
PDF, 354 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 20 июл 2010
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17302Q5A на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 94 ₽22 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 87 А, 0.0064 Ом, SON, Surface Mount | |||
| CSD17302Q5A Texas Instruments | 30 ₽ | ||
| CSD17302Q5A Texas Instruments | 32 ₽ | ||
| CSD17302Q5A Texas Instruments | 32 ₽ | ||
| CSD17302Q5A Texas Instruments | от 76 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD17302 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 87 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 104 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 5.4 nC |
| QGD Typ | 1.2 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 7.3 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 9 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.2 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TPS40210EVM
Development Boards/EVMs
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
