Datasheet SI4427BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4427BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.0105 at VGS = - 10 V 0.0125 at VGS = - 4.5 V 0.0195 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 12.6 - 11.5 - 9.2

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 10.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: -9.7 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 19.5 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 12.5 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 10.5 МОм
• P Channel Gate Charge: 47.2nC
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
• Pulse Current Idm: 50 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

SI4427BDYT1GE3, SI4427BDY T1 GE3