Datasheet SI7190DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8 — Даташит
Наименование модели: SI7190DP-T1-GE3
Купить SI7190DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 244 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков N-Channel 250 V 18.4A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | |||
SI7190DP-T1-GE3 Vishay | 62 ₽ | ||
SI7190DP-T1-GE3 Vishay | 133 ₽ | ||
SI7190DP-T1-GE3 Vishay | 150 ₽ | ||
SI7190DP-T1-GE3 Vishay | от 191 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si7190DP
Vishay Siliconix
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On State Resistance: 98 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 18.4 А
- Power Dissipation Pd: 96 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7190DPT1GE3, SI7190DP T1 GE3