ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SIHG20N50C-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 500 В, 20 А, TO247 — Даташит

Vishay SIHG20N50C-E3

Наименование модели: SIHG20N50C-E3

55 предложений от 21 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 500Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270Емкость, пФ:...
SIHG20N50C-E3
от 105 ₽
ЭК ЗИП
Россия
SIHG20N50C-E3
Vishay
от 108 ₽
ЧипСити
Россия
SIHG20N50C-E3
Vishay
69 ₽
SIHG20N50C-E3
Vishay
от 558 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 500 В, 20 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiHG20N50C
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) at TJ max.

RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 76 21 34 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 225 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 20 А
  • Power Dissipation Pd: 292 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SIHG20N50CE3, SIHG20N50C E3

На английском языке: Datasheet SIHG20N50C-E3 - Vishay MOSFET, N-CH, 500 V, 20 A, TO247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России