Datasheet SIHG20N50C-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 500 В, 20 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: SIHG20N50C-E3
Купить SIHG20N50C-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 105 до 558 ₽ 55 предложений от 21 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 500Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270Емкость, пФ:... | |||
SIHG20N50C-E3 | от 105 ₽ | ||
SIHG20N50C-E3 Vishay | от 108 ₽ | ||
SIHG20N50C-E3 Vishay | 69 ₽ | ||
SIHG20N50C-E3 Vishay | от 558 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 500 В, 20 А, TO247
Краткое содержание документа:
SiHG20N50C
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) at TJ max.
RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 76 21 34 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 225 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 20 А
- Power Dissipation Pd: 292 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SIHG20N50CE3, SIHG20N50C E3