HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SIR164DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8 — Даташит

Vishay SIR164DP-T1-GE3

Наименование модели: SIR164DP-T1-GE3

23 предложений от 12 поставщиков
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
AiPCBA
Весь мир
SIR164DP-T1-GE3
Vishay
53 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIR164DP-T1-GE3
Vishay
55 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SIR164DP-T1-GE3
Vishay
67 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SIR164DP-T1-GE3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR164DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 2.05 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 50 А
  • Power Dissipation Pd: 69 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR164DPT1GE3, SIR164DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR164DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 50 A, PPAK SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России