Datasheet SIS410DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 35 А, POWERPAK8 — Даташит

Купить SIS410DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 255 ₽ 27 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 35 А, 0.004 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	SIS410DN-T1-GE3 Vishay	15 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SIS410DN-T1-GE3 Vishay	49 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SIS410DN-T1-GE3 Vishay	от 255 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SIS410DNT1GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 35 А, POWERPAK8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiS410DN
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.0048 at VGS = 10 V 0.0063 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 12.7 nC 35 Qg (Typ.)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK 1212
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 35 А
• Power Dissipation Pd: 5.2 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SIS410DNT1GE3, SIS410DN T1 GE3