Datasheet SSM6K06FU(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 1.1 А, 20 В, SOT23 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 1.1 А, 20 В, SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SSM6K06FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6K06FU
High Speed Switching Applications
· · · Small package Low ON- resistance: RDS(ON) = 160 m max (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 210 m max (@VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 160 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Корпус транзистора: US6
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 1.1 А
• Тип корпуса: US6
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SSM6K06FU(TE85LF), SSM6K06FU(TE85L F)