Datasheet TK18A50D(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 18 А, SC-67 — Даташит

Купить TK18A50D(Q,M) на РадиоЛоцман.Цены — от 74 до 459 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков Транзистор: MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
ChipWorker Весь мир	TK18A50D(STA4,X,M) Toshiba	74 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ TK18A50D Toshiba	128 ₽	Купить
ЭИК Россия	TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba	от 382 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	TK18A50D Toshiba 10000 Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 18 А, SC-67

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK18A50D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK18A50D
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 230 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Корпус транзистора: SC-67
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 18 А
• Power Dissipation Pd: 50 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - 220SA
• AAVID THERMALLOY - BW50-2G
• ABL HEATSINKS - 205AB0500B
• GC ELECTRONICS - 10-8108

Варианты написания:

TK18A50D(QM), TK18A50D(Q M)