Datasheet TSM2301CX - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, P, 20 В, SOT-23 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Taiwan Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, P, 20 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TSM2301
-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pin assignment: 1.

Gate 2. Source 3. Drain
VDS = -20V RDS (on), Vgs @ -4.5V, Ids @ -2.8A =130m RDS (on), Vgs @ -2.5V, Ids @ -2.0A =190m
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 65 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -2.3 А
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 122 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 95 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: -0.45 В

RoHS: есть