Datasheet SI4425BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.8 А, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4425BDY-T1-E3
Купить SI4425BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 197 ₽ 31 предложений от 19 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; Idm: -50А; 0,9Вт; SO8 | |||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | 13 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | 28 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | 96 ₽ | ||
SI4425BDY-T1-E3 Vishay | 145 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.8 А, 8SOIC
Краткое содержание документа:
Si4425BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.012 at VGS = - 10 V 0.019 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 11.4 - 9.1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -8.8 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.01 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SI4425BDYT1E3, SI4425BDY T1 E3