HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4465ADY-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 13.7 А, SOIC — Даташит

Vishay SI4465ADY-T1-GE3

Наименование модели: SI4465ADY-T1-GE3

17 предложений от 9 поставщиков
P-Channel 8 V 13.7A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4465ADY-T1-GE3
Vishay
83 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4465ADY-T1-GE3
Vishay
121 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4465ADY-T1-GE3
Vishay
121 ₽
ЭИК
Россия
SI4465ADY-T1-GE3
Vishay
от 189 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 13.7 А, SOIC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 13.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: -8 В
  • On Resistance Rds(on): 16 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -1.8 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4465ADYT1GE3, SI4465ADY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4465ADY-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -8 V, 13.7 A, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России