Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI7123DN-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор, -20 В, 25 А, POWERPAK — Даташит

Vishay SI7123DN-T1-GE3

Наименование модели: SI7123DN-T1-GE3

7 предложений от 7 поставщиков
P-Channel 20 V 10.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
AiPCBA
Весь мир
SI7123DN-T1-GE3
Vishay
48 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI7123DN-T1-GE3
Vishay
48 ₽
ЧипСити
Россия
SI7123DN-T1-GE3
Vishay
94 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SI7123DN-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CH полевой транзистор, -20 В, 25 А, POWERPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si7123DN
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
FEATURES

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -25 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 18.9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7123DNT1GE3, SI7123DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7123DN-T1-GE3 - Vishay P CH MOSFET, -20 V, 25 A, POWERPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России