Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SIA431DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 12 А — Даташит

Vishay SIA431DJ-T1-GE3

Наименование модели: SIA431DJ-T1-GE3

20 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А; 12Вт
AiPCBA
Весь мир
SIA431DJ-T1-GE3
Vishay
16 ₽
ЭИК
Россия
SIA431DJ-T1-GE3
Vishay
от 41 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIA431DJ-T1-GE3
Vishay
44 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SIA431DJT1GE3
2 264 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 12 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -12 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 25 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -850 мВ

RoHS: есть

Варианты написания:

SIA431DJT1GE3, SIA431DJ T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIA431DJ-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -20 V, 12 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России