Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI5479DU-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, POWERPAK — Даташит

Vishay SI5479DU-T1-E3

Наименование модели: SI5479DU-T1-E3

LifeElectronics
Россия
SI5479DU-T1-E3по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
SI5479DUT1E3по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, POWERPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 16 А
  • Drain Source Voltage Vds: 12 В
  • On State Resistance: 39 МОм
  • Семейство: 5479
  • P Channel Gate Charge: 21nC
  • Тип корпуса: PowerPAK
  • Power Dissipation Pd: 17.8 мВт
  • Pulse Current Idm: 20 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
  • Тип транзистора: Trench
  • Voltage Vds Typ: -12 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 1.8 В
  • Voltage Vgs th Min: -0.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5479DUT1E3, SI5479DU T1 E3

На английском языке: Datasheet SI5479DU-T1-E3 - Vishay MOSFET, P, POWERPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России