Datasheet SIB417DK-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, PPAK SC-75 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, PPAK SC-75

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiB417DK
Vishay Siliconix
P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 9 А
• Drain Source Voltage Vds: -8 В
• On State Resistance: 52 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SC-75
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: -9 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SC-75
• Power Dissipation Pd: 13 Вт
• Rise Time: 31 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: 8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1 В
• Voltage Vgs th Min: 0.35 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SIB417DKT1GE3, SIB417DK T1 GE3