Datasheet SI4812BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит MOSFET+DIODE, N CH, 30 В, 7.3 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4812BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4812BDY-T1-GE3

Купить SI4812BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 121 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков MOSFET 30V 9.5A 2.5W 16mohm @ 10V
Akcel Весь мир	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	от 13 ₽
AiPCBA Весь мир	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	26 ₽
ChipWorker Весь мир	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	80 ₽
Acme Chip Весь мир	SI4812BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: MOSFET+DIODE, N CH, 30 В, 7.3 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4812BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.016 at VGS = 10 V 0.021 at VGS = 4.5 V ID (A) 9.5 7.7

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On State Resistance: 13 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
Current Id Max: 7.3 А
Power Dissipation Pd: 1.4 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

CHEMTRONICS - CW8400
EREM - 00SA
MULTICORE (SOLDER) - 698840
Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4812BDYT1GE3, SI4812BDY T1 GE3