Datasheet SI7846DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор транзистор — Даташит
Наименование модели: SI7846DP-T1-E3
Купить SI7846DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 83 до 449 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | |||
SI7846DP-T1-E3 Vishay | 83 ₽ | ||
SI7846DP-T1-E3 Vishay | 88 ₽ | ||
SI7846DP-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI7846DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор транзистор
Краткое содержание документа:
Si7846DP
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 150 RDS(on) () 0.050 at VGS = 10 V ID (A) 6.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On State Resistance: 50 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 24.5 А
- Тип корпуса: SOIC-8
- Power Dissipation Pd: 1.9 Вт
- Voltage Vds Typ: 150 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7846DPT1E3, SI7846DP T1 E3