Datasheet SIR890DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SIR890DP-T1-GE3
Купить SIR890DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 117 до 174 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков N-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | |||
| SIR890DP-T1-GE3 Vishay | 117 ₽ | ||
| SIR890DP-T1-GE3 Vishay | 171 ₽ | ||
| SIR890DP-T1-GE3 Vishay | 174 ₽ | ||
| SIR890DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
New Product
SiR890DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 2.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Voltage Vgs Max: 2.6 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 50 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: PowerPAK
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- Rise Time: 10 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.6 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.6 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SIR890DPT1GE3, SIR890DP T1 GE3
