Datasheet SIS456DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 35 А, PPAK1212-8 — Даташит

Vishay SIS456DN-T1-GE3

Наименование модели: SIS456DN-T1-GE3

Купить SIS456DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 38 до 40 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ChipWorker Весь мир	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	38 ₽
AiPCBA Весь мир	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	38 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	по запросу
Flash-Turtle Весь мир	SIS456DN-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 35 А, PPAK1212-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiS456DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0051 at VGS = 10 V 0.0068 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 35 Qg (Typ.) 18.5 nC

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On State Resistance: 4200µ Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: PowerPAK 1212
Количество выводов: 8
Current Id Max: 21 А
Power Dissipation Pd: 3.8 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIS456DNT1GE3, SIS456DN T1 GE3