ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI3430DV-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI3430DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3430DV-T1-GE3

13 предложений от 9 поставщиков
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Триема
Россия
SI3430DV-T1-GE3
Vishay
66 ₽
ЧипСити
Россия
SI3430DV-T1-GE3
Vishay
78 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI3430DVT1GE3
5 860 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI3430DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 170 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3430DVT1GE3, SI3430DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3430DV-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России