Datasheet SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4800BDY-T1-GE3
Купить SI4800BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.60 до 76 ₽ 22 предложений от 11 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A | |||
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay | 8.60 ₽ | ||
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay | 11 ₽ | ||
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay | от 13 ₽ | ||
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay | от 76 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si4800BDY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0185 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 9 7
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 30 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 25 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 25 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4800BDYT1GE3, SI4800BDY T1 GE3