На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC — Даташит

Vishay SI4800BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4800BDY-T1-GE3

22 предложений от 11 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay
8.60 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay
11 ₽
Akcel
Весь мир
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay
от 13 ₽
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay
от 76 ₽
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4800BDY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0185 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 9 7

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 30 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 25 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 25 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4800BDYT1GE3, SI4800BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 9 A, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России