Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI5458DU-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6 А — Даташит

Наименование модели: SI5458DU-T1-GE3

10 предложений от 6 поставщиков
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK CHIPFET
AiPCBA
Весь мир
SI5458DU-T1-GE3
Vishay
20 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI5458DU-T1-GE3
Vishay
33 ₽
SI5458DU-T1-GE3
Vishay
от 50 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI5458DU-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 41 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5458DUT1GE3, SI5458DU T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI5458DU-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 6 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России