Datasheet SI4800BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить SI4800BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 8.60 до 242 ₽ 38 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 7А, 2,5Вт, SO8
Стандарт СИЗ Россия	SI4800BDY-T1-GE3 Vishay	8.60 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SI4800BDY-T1-E3 Vishay	от 10 ₽	Купить
Триема Россия	SI4800BDY-T1-GE3 Vishay	47 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI4800BDY-T1-GE3 Vishay	от 63 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4800BDY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 18.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 6.5 А
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 30 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 18.5 МОм
• P Channel Gate Charge: 8.7nC
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
• Pulse Current Idm: 40 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5