ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet IRFHM830TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 21 А, PQFN33 — Даташит

International Rectifier IRFHM830TR2PBF

Наименование модели: IRFHM830TR2PBF

9 предложений от 9 поставщиков
Транзисторы полевые (MOSFET)
IRFHM830TR2PBF, Nкан 30В 40А PQFN3.3x3.3
International Rectifier
38 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRFHM830TR2PBF
Infineon
70 ₽
ЧипСити
Россия
IRFHM830TR2PBF
International Rectifier
118 ₽
Acme Chip
Весь мир
IRFHM830TR2PBF
International Rectifier
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 21 А, PQFN33

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97547A
IRFHM830PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 21 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.7 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 8
  • Voltage Vgs Max: 20 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IR2101PBF

На английском языке: Datasheet IRFHM830TR2PBF - International Rectifier MOSFET, W DIODE, N CH, 30 V, 21 A, PQFN33

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России