Компания Everspin Technologies выводит на рынок первую коммерческую микросхему магниторезистивной оперативной памяти на основе переноса спинового момента (Spin-Torque Magnetoresistive RAM – ST-MRAM), – новый тип памяти со сверхмалыми задержками, которая может стать быстродействующей альтернативой подсистемам энергонезависимой DRAM.
Устройство емкостью 64 Мб является первым в линейке продукции компании Everspin, которую она планирует расширить высокоскоростными моделями объемом до 1 Гб. Новый тип памяти в 500 раз превосходит по скорости NAND flash и также долговечен, как DRAM.
Являясь первой полупроводниковой памятью, сочетающей в себе скорость и надежность DRAM и энергонезависимость Flash, ST-MRAM даст разработчикам систем хранения данных возможность добиться сверхмалых задержек, повысить надежность за счет большого количества циклов обращения и защитить данные в случае потери питания. Одним из примеров потенциального использования нового продукта может быть оборудование для облачного хранения информации. С учетом увеличения числа пользователей и количества информации, необходимость в емких хранилищах с быстрым доступом становится очевидной.
Собственная технология переноса спинового момента компании Everspin (Spin-Torque technology) использует для переключения спин-поляризованный ток. Модель EMD3D064M емкостью 64 Мб функционально совместима с отраслевым стандартом JEDEC интерфейса DDR3, позволяющим пересылать данные со скоростью до 1600 миллионов передач в секунду на одну линию ввода/вывода, что соответствует пропускной способности памяти 3.2 ГБ/с. Микросхема предлагается в стандартном для DDR3 корпусе WBGA.
 |
| Фотография корпуса |
Микросхемы ST-MRAM примерно в 50 раз дороже, чем NAND flash, а это означает, что перспективы их применения в качестве обычных запоминающих устройств пока весьма сомнительны. Тем не менее, как ожидается, цена за гигабайт ST-MRAM в течение ближайших 5 лет упадет с уровня SRAM до уровня DRAM.
 |
| Фотография кристалла |
Everspin уже поставляет рабочие образцы микросхем EMD3D064M отдельным заказчикам, а подробности относительно широкой доступности продукта сообщит в 2013 году.
