Корпорация International Rectifier анонсировала чипсет из двух 20-вольтовых DirectFETTM транзисторов для синхронных понижающих DC/DC конверторов. Транзисторы IRF6610 и IRF6636 в малом тироразмере корпуса DirectFET при аналогичных приборам в корпусе SO-8 параметрах занимают площадь на 40% меньше. Новый чипсет предназначен для применения в высокочастотных point-of-load (POL) конверторах где размеры, кпд и тепловые характеристики являются определяющими факторами проектирования.
В компьютерных системах с 12В питанием IRF6610 и IRF6636 являются идеальными транзисторами для 15-амперных POL конверторов с выходными напряжениями от 5В до 1В и менее.
IRF6610 имеет низкий заряд затвора (типовое значение 10нК), заряд затвор-сток (2нК) и оптимизирован для использования в качестве управляющего ключа. Максимальное сопротивление открытого канала составляет соответственно 8мОм и 10мОм прии напряжении на затворе 10В и 4.5В. Транзистор нормирован на пробойное напряжение сток-исток 20В и ток стока 50А. Транзистор производится в корпусе DirectFET SQ.
IRF6636 имеет низкое сопротивление канала (6.4мОм и 4.5мОм при 10В и 4.5В соответственно) и низкие заряды затвора (18нК) и затвор-сток (6.1нК). Поэтому он может использоваться и как ключ синхронного выпрямления совместно с IRF6610 в 15-амперных конверторах или как управляющий ключ совместно с IRF6691 в многофазных конверторах с током 35A на фазу. При этом чипсет IRF6636/IRF6691 способен заменить до четырех MOSFET в корпусе SO-8 с улучшенными тепловыми характеристиками. IRF6636 нормирован на пробивное напряжение сток-исток 20В, ток стока 55А и производится в корпусе типа DirectFET ST.
| Part Number | Package | BVDSS(V) | RDS(on) max @10V(mOhm) | RDS(on) max @4.5V(mOhm) | VGS(V) | ID @ Tc=25єC(A) | QG typ(nC) | QGD typ(nC) |
| IRF6610 | DirectFET SQ | 20 | 8.0 | 10.0 | 20 | 50 | 10.0 | 2.0 |
| IRF6636 | DirectFET ST | 20 | 4.5 | 6.4 | 20 | 55 | 18 | 6.1 |
