Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в настоящее время используемым Samsung при производстве большинства видов памяти DRAM, однако полезный выход чипов с одной пластины по меньшей мере на 100% выше, чем можно получить с помощью 90-нм технологии.
Компания
Samsung Electronics объявила о разработке первого в мире 512-мегабитного чипа DDR2 SDRAM с применением 70-нанометрового технологического процесса — впервые применяемого для изготовления памяти DRAM. Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в настоящее время используемым Samsung при производстве большинства видов памяти DRAM. Однако полезный выход чипов с одной пластины по меньшей мере на 100% выше, чем можно получить с помощью 90-нм технологии.
Разработав в 2002 году субмикронный процесс производства DRAM, Samsung уже в следующем году представила его 80-нм версию, а вводимая ныне 70-нм технология знаменует новую индустриальную веху. Созданию нового 70-нм технологического процесса производства DRAM способствовал ряд фирменных инноваций, в том числе разработанная Samsung технология производства конденсаторов MIM (Metal-Insulator-Metal) и трехмерная архитектура транзисторов, известная как S-RACT (Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor). Эти достижения, представленные на симпозиумах по СБИС в 2004 × 2005 гг. соответственно, применяются для преодоления ограничений пакетных ячеек DRAM и радикального улучшения функции обновления данных, играющей критическую роль для 512-мегабитных чипов памяти DRAM, произведенных по 70-нм технологии.
Samsung планирует продолжать агрессивную политику вывода на рынок DRAM новых нанометровых технологических процессов, как это было с введением 90-нм процесса в середине 2004 года и 80-нм процесса — во втором полугодии 2005-го. Начало серийного производства модулей плотностью 512 Мбит, 1 Гбит и 2 Гбит по 70-нанометровой технологии запланировано на второе полугодие 2006 года. В мае 2005 года исследовательская компания Gartner Dataquest опубликовала отчет, согласно которому мировой рынок DRAM в этом году достигнет объема 26,2 млрд. долларов США и продолжит рост до уровня 29,1 млрд. в 2008 году. Более того, готовящиеся к массовому производству игровые консоли следующего поколения, большинство новых мобильных 3G-телефонов и новую операционную систему Microsoft Vista считают ключевыми факторами, которые в будущем году подстегнут рыночный спрос. Ожидается, что новые разработки будут способствовать дальнейшей диверсификации и росту рынка DRAM во всем мире.
