Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты - 4

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 462 Вывод: 31-40
  1. Дискретные компоненты Nexperia PUSB3BB2DF PESD5V0C2BDF PESD4V0Z2BCDF
    Лучшая в своем классе защита от электростатических разрядов для интерфейсов USB3.2 и HDMI2.1 Nexperia анонсировала три новых защитных устройства TrEOS, обеспечивающих наиболее компактное решение для подавления электростатических разрядов на линиях ...
    Best-in-class ESD and system robustness for USB3.2 and HDMI2.1 Nexperia announced three new TrEOS protection devices that provide the most compact method to suppress ESD in USB3.2, HDMI2.1 and other high-speed data lines. The new PUSB3BB2DF , ...
    04-02-2021
  2. Первое в отрасли устройство в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа крыло чайки с сопротивлением открытого канала всего 30 мОм Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий ...
    Industry-First Device in Compact 5 mm × 6 mm PowerPAK® SO-8L Package With Gullwing Leads Offers On-Resistance Down to 30 mΩ Vishay Intertechnology introduced a new AEC-Q101 qualified p-channel 100 V TrenchFET® MOSFET designed to ...
    13-01-2021
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy
  1. В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А. Отличительной особенностью ...
    13-01-2021
  2. Допустимый рабочий ток выпущенных STMicroelectronics 800-вольтовых симисторов семейства 8H не снижается даже при максимальной температуре перехода 150 C, что позволяет до 50% уменьшить площадь теплоотводов и создавать драйверы нагрузок переменного ...
    STMicroelectronics’ 800 V 8H Triacs operate at full rated current up to the maximum junction temperature of 150 C, allowing heatsinks in drives for AC loads to be up to 50% smaller to combine compact dimensions with high reliability. Suited ...
    10-01-2021
  1. Alpha and Omega Semiconductor (AOS) объявила о выпуске новых 150-вольтовых MOSFET AOTL66518 и AOB66518L с низкими сопротивлениями открытых каналов и широкой областью безопасной работы (SOA), предназначенных для приложений горячей замены в ...
    Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AOTL66518 and AOB66518L , a 150 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability designed for demanding applications in Telcom Hot Swap. AOS designed these ...
    29-12-2020
  2. С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС драйверов затвора из линейки EiceDRIVER, основанных ...
    23-12-2020
  3. N-канальное устройство четвертого поколения, снижая потери проводимости и переключения, увеличивает КПД системы питания Vishay Intertechnology дополнила новым устройством семейство 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии EF с ...
    Fourth-Generation N-Channel Device Lowers Conduction and Switching Losses, Increases Efficiency Vishay Intertechnology introduced a new device in its fourth generation of 600 V EF Series fast body diode MOSFETs. Providing high efficiency for ...
    07-12-2020
  4. Ampleon анонсировала выпуск мощного 250-ваттного радиочастотного транзистора BLP2425M10S250P для твердотельных систем приготовления пищи, а также для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, использующих диапазон частот от 2400 МГц до ...
    Ampleon announced the BLP2425M10S250P , a 250 W RF power transistor for solid-state cooking and industrial, scientific and medical (ISM) applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency band. Using Ampleon’s tenth-generation LDMOS process, ...
    30-11-2020
  5. За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически ...
    25-11-2020
  6. EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор ...
    EPC introduces 170 V, 6.8 milliohm EPC2059 eGaN® FET, offering designers a device that is smaller, more efficient, more reliable, and lower cost than currently available devices for high performance 48 V synchronous rectification. Efficient ...
    22-11-2020
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России