Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Публикации: 2SK3666-3-TB-E

Поиск по: "2SK3666-3-TB-E"
Найдено: 1 Вывод: 1
  1. Datasheet 2SK3666-3-TB-E - Sanyo Даташит JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23
    Наименование модели: 2SK3666-3-TB-E Производитель: Sanyo Описание: JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23 Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: 30 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 600 мкА .. 6 мА Gate-Source ...
    09-03-2012
  2. 28 предложений от 12 поставщиков
    Transistor, JFET, N-CH, 30V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr: -30V; Zero Gate Drain Current Idss Min: 1.2mA;
    AiPCBA
    Весь мир
    2SK3666-3-TB-E
    ON Semiconductor
    3.92 ₽
    ChipWorker
    Весь мир
    2SK3666-3-TB-E
    ON Semiconductor
    4.01 ₽
    Элитан
    Россия
    2SK3666-3-TB-E
    ON Semiconductor
    24 ₽
    Flash-Turtle
    Весь мир
    2SK3666-3-TB-E
    ON Semiconductor
    по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy
    Поиск "2SK3666-3-TB-E" в других поисковых системах: DataSheet.ru
    Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России