Источники питания Keen Side

John Fattaruso

John Fattaruso

Джон В. Фаттарузо вырос в Беркли, Калифорния, и получил степени бакалавра (с отличием), магистра и доктора наук по электротехнике в Калифорнийском университете в Беркли в 1978, 1982 и 1986 годах, соответственно. Он был стипендиатом Hertz Foundation, преподавателем, научным сотрудником и инструктором в Калифорнийском университете в Беркли. В 1979 году работал в группе исследований и разработок цифровой обработки сигналов в компании Hewlett-Packard, Санта-Клара, Калифорния, а в 1985 году – консультантом в компании Seeq Technology, Сан-Хосе, Калифорния. С 1987 по 2009 год работал разработчиком аналоговых схем и СБИС в различных отделах исследований и разработки продуктов компании Texas Instruments, Даллас, штат Техас. В 2001 году он был избран заслуженным членом технического персонала Texas Instruments. С 2011 года он является адъюнкт-профессором Южного методистского университета (Даллас, Техас) на факультетах электротехники и физики.

В настоящее время он имеет 32 патента в области проектирования схем и является автором или соавтором 24 журнальных статей и презентаций на конференциях. Он работал в патентном комитете по аналоговым схемам компании Texas Instruments, в подкомитете по аналоговой программе ISSCC, был приглашенным автором учебника по аналоговому проектированию и краткого курса в ISSCC, а также приглашенным редактором JSSC. Его технические интересы включают проектирование аналоговых и радиочастотных схем, моделирование и оптимизацию схем, численный анализ и вычислительную физику. Доктор Фаттарузо является членом обществ Eta Kappa Nu, Tau Beta Pi и Phi Beta Kappa. Джон является обладателем наград за заслуги перед подкомитетом аналоговых программ ISSCC и Далласским отделением IEEE SSCS.

Сферы интересов автора: Измерения

Публикации на РадиоЛоцман автора John Fattaruso:

  1. В большинстве случаев простые схемы, которые можно найти для измерения реактивных компонентов, пригодны лишь для ограниченного диапазона номиналов. Здесь предлагается схема, построенная из нескольких недорогих...
    Most simple circuits you'll find for measuring reactive components cover only a limited range of component values. Here's a circuit built from a handful of inexpensive parts that will let you measure values of...
    20 сентября 2021
  2. Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2012 При работе с дискретными полевыми транзисторами с управляющим p-n переходом (JFET) иногда приходится принимать во внимание значительный разброс параметров у приборов одного типа....
    Measure the pinch-off voltage VP and zero-bias drain current IDSS to select matched pairs of JFETs When working with discrete JFETs, designers may need to accommodate a large variation in device parameters for a...
    10 марта 2013

На английском языке: John Fattaruso

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка