![]() ![]() BSM10GD120DN2E3224 IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE Бренд: Infineon | Цена от 2 314 ₽ до 5 882 ₽ Медиана 2 314 ₽ В наличии 3 цены от 3 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ![]() | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 1 697 ₽ от 10 5-7 дней склад 49082 шт |
LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 | 2 310 ₽ от 15 5-7 дней склад 48944 шт |
3 ![]() | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 314 ₽ 2-5 дней склад 117 шт |
4 ![]() | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 314 ₽ 3-7 дней склад 105 шт |
5 ![]() | |
, Low Power Econo | 4 339 ₽ 2-5 дней склад 102 шт |
6 ![]() | |
4 339 ₽ 2-7 дней склад 245 шт | |
7 ![]() | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 4 687 ₽ от 10 шт 7 дней склад 4031 шт |
8 ![]() | |
igbt модули | 5 073 ₽ на складе |
9 ![]() | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 5 389 ₽ от 1 шт 7 дней склад 4031 шт |
10 ![]() | |
5 882 ₽ 2-7 дней склад 236 шт | |
11 ![]() | |
Разное | 9 660 ₽ 6 шт 4-6 недель |
12 ![]() | |
Транзистор: IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 10 349 ₽ от 6 шт 21-42 дня склад 2256 шт |
13 ![]() | |
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 10А | 10 434 ₽ от 6 шт 5-10 дней склад 2256 шт |
14 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
11 751 ₽ | |
12 443 ₽ | |
23 143 ₽ | |
17 ![]() | |
BSM10GD120DN2-E3224 06 Авг 2025 16:13 | запрос 7-14 дней |
запрос 2 недели | |
19 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7992 шт |
20 ![]() | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5500 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8680 шт |
22 МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224;Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
23 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
24 ![]() | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5080 шт |
25 Augswan Китай Весь мир | |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5037 шт |
26 727GS Китай Весь мир | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | запрос склад 4031 шт |
USD | 80.049 |
EUR | 92.5094 |