 IRF460 Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN Бренды: Infineon International Rectifier Intersil | Цена от 79.0 ₽ до 1 279 ₽ Медиана 1 013 ₽ В наличии 10 цен от 5 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 727GS Китай Весь мир | |
HEXFET POWER MOSFET | 79.0 ₽ от 1 шт 7 дней склад 9825 шт |
| 2 Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
HEXFET POWER MOSFET | 79.0 ₽ от 1 шт 7 дней склад 9825 шт |
| 3 727GS Китай Весь мир | |
HEXFET POWER MOSFET | 79.0 ₽ от 550 шт 7 дней склад 9825 шт |
| 4 Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
HEXFET POWER MOSFET | 79.0 ₽ от 550 шт 7 дней склад 9825 шт |
| 5 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
410 ₽ до 5 дней | |
| 6 ЧипСити Москва Россия | |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3Pin(2+Tab) TO-3 | 801 ₽ 3-7 дней склад 1170 шт |
| 7 AiPCBA Китай Весь мир | |
852 ₽ 2-7 дней склад 271 шт | |
| 8 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
999 ₽ склад 19 шт | |
| 9 ChipWorker Китай Весь мир | |
, IRF460 Seris 500 V 0.27 ... Далее IRF460, IRF460 Seris 500 V 0.27 Ohm 21 A N-Channel Hexfet®Transistor - TO-3 | 1 006 ₽ 2-5 дней склад 123 шт |
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3Pin(2+Tab) TO-3 | 1 019 ₽ 2-5 дней склад 146 шт |
| 11 ЧипСити Москва Россия | |
IRF460 Seris 500 V 0.27 ... Далее IRF460IRF460 Seris 500 V 0.27 Ohm 21 A N-Channel Hexfet®Transistor - TO-3 | 1 165 ₽ 3-7 дней склад 1271 шт |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3Pin(2+Tab) TO-3 | 1 204 ₽ 3-7 дней склад 1199 шт |
| 13 Romstore Москва Россия, Беларусь | |
IRF460PBF 03 Май 2025 04:28 | 1 212 ₽ опт |
| 14 AiPCBA Китай Весь мир | |
1 226 ₽ 2-7 дней склад 295 шт | |
1 279 ₽ 2-7 дней склад 278 шт | |
| 16 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
1 406 ₽ склад 290 шт | |
| 17 Romstore Москва Россия, Беларусь | |
IRF460PBF 03 Май 2025 04:28 | 1 500 ₽ розница |
| 18 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 6 509 ₽ 2 шт 4-6 недель |
| 19 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
7 495 ₽ | |
| 20 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
| 21 МосЧип Москва Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
| 22 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
| 23 TradeElectronics Москва Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
| 24 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
| 25 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
| 26 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
TO-204AE | запрос 2 недели |
| 27 Augswan Китай Весь мир | |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N- ... Далее IRF460Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC ... | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 15756 шт |
| 28 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
| 29 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
запрос 5-7 дней склад 7130 шт | |
| 30 Augswan Китай Весь мир | |
TO-247 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5819 шт |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 4199 шт | |
| 32 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
IRF460 03 Май 2025 23:55 | запрос 7-14 дней |
| 33 Augswan Китай Весь мир | |
TO-247 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6301 шт |
| 34 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
запрос | |
| USD | 81.4933 |
| EUR | 92.837 |
