![]() ![]() IRF460 Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN Бренды: Infineon International Rectifier Intersil | Цена от 77.9 ₽ до 1 261 ₽ Медиана 992 ₽ В наличии 10 цен от 5 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 727GS Китай Весь мир | |
HEXFET POWER MOSFET | 77.9 ₽ от 1 шт 7 дней склад 9825 шт |
2 ![]() | |
HEXFET POWER MOSFET | 77.9 ₽ от 550 шт 7 дней склад 9825 шт |
3 727GS Китай Весь мир | |
HEXFET POWER MOSFET | 77.9 ₽ от 550 шт 7 дней склад 9825 шт |
4 ![]() | |
HEXFET POWER MOSFET | 77.9 ₽ от 1 шт 7 дней склад 9825 шт |
5 ![]() | |
, Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3Pin(2+Tab) TO-3 | 840 ₽ 3-7 дней склад 248 шт |
6 ![]() | |
840 ₽ 2-7 дней склад 271 шт | |
7 ![]() | |
, IRF460 Seris 500 V 0.27 ... Далее IRF460, IRF460 Seris 500 V 0.27 Ohm 21 A N-Channel Hexfet®Transistor - TO-3 | 992 ₽ 3-7 дней склад 493 шт |
8 ![]() | |
, IRF460 Seris 500 V 0.27 ... Далее IRF460, IRF460 Seris 500 V 0.27 Ohm 21 A N-Channel Hexfet®Transistor - TO-3 | 992 ₽ 2-5 дней склад 197 шт |
9 ![]() | |
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3Pin(2+Tab) TO-3 | 1 005 ₽ 3-7 дней склад 468 шт |
10 ![]() | |
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3Pin(2+Tab) TO-3 | 1 005 ₽ 2-5 дней склад 154 шт |
11 ![]() | |
1 208 ₽ 2-7 дней склад 295 шт | |
12 ![]() | |
IRF460PBF 21 Авг 2025 02:50 | 1 212 ₽ опт |
13 ![]() | |
1 261 ₽ 2-7 дней склад 278 шт | |
14 ![]() | |
IRF460PBF 21 Авг 2025 02:50 | 1 500 ₽ розница |
15 ![]() | |
Разное | 6 148 ₽ 2 шт 4-6 недель |
16 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
7 495 ₽ | |
17 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
18 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
19 МосЧип Москва Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
20 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
21 TradeElectronics Москва Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
22 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
23 Augswan Китай Весь мир | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 4199 шт | |
24 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
25 ![]() | |
запрос 5-7 дней склад 7130 шт | |
26 Augswan Китай Весь мир | |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N- ... Далее IRF460Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC ... | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 15756 шт |
TO-247 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5819 шт |
28 ![]() | |
TO-204AE | запрос 2 недели |
29 Augswan Китай Весь мир | |
TO-247 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6301 шт |
30 ![]() | |
IRF460 21 Авг 2025 04:25 | запрос 7-14 дней |
USD | 80.3466 |
EUR | 93.5604 |