 NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Бренд: NTE Electronics | Цена от 1 607 ₽ до 2 573 ₽ Медиана 2 047 ₽ В наличии 8 цен от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3Pin | 1 607 ₽ 2-5 дней склад 188 шт |
2  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3Pin | 1 607 ₽ 3-7 дней склад 474 шт |
3  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-900V 60AMP | 1 942 ₽ от 100 5-7 дней склад 40671 шт |
1 988 ₽ от 50 5-7 дней склад 40671 шт | |
2 105 ₽ от 20 5-7 дней склад 40671 шт | |
2 222 ₽ от 10 5-7 дней склад 40671 шт | |
2 339 ₽ от 1 5-7 дней склад 40671 шт | |
8  AiPCBA Китай Весь мир | |
2 573 ₽ 2-7 дней склад 2 шт | |
9  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
NTE3322 04 Авг 2025 06:00 | запрос 7-14 дней |
| 10 TradeElectronics Москва Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High ... Далее NTE3322Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | запрос 7-14 дней |
| USD | 80.3289 |
| EUR | 91.7056 |
