![]() ![]() SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8 Бренды: Siliconix Vishay | Цена от 12.5 ₽ до 416 ₽ Медиана 86.1 ₽ В наличии 47 цен от 12 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ![]() | |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 12.5 ₽ от 1000 5-7 дней склад 76160 шт |
15.9 ₽ от 500 5-7 дней склад 76160 шт | |
3 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 ₽ Строка от 600 ₽ | |
DC: 23+ | 17.5 ₽ от 1 склад 10131 шт |
4 ![]() | |
Труба MOS, SOIC-8P-CH 60V 3.2A 120mΩ | 19.2 ₽ 2-5 дней склад 15902 шт |
5 ![]() | |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 19.2 ₽ от 100 5-7 дней склад 76160 шт |
24.6 ₽ от 10 5-7 дней склад 76160 шт | |
27.5 ₽ от 1 5-7 дней склад 76160 шт | |
8 ![]() | |
Труба MOS, MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4. ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Труба MOS, MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4.7A, SO-8, Pd 5W | 33.1 ₽ 2-5 дней склад 17286 шт |
9 ![]() | |
34.2 ₽ 2-7 дней склад 1589 шт | |
10 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 ₽ Строка от 600 ₽ | |
35.3 ₽ от 1 склад 164 шт | |
11 ![]() | |
36.7 ₽ 2-7 дней склад 9137 шт | |
12 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | 37.0 ₽ от 2500 шт 5-15 дней склад 8487 шт |
41.0 ₽ от 1000 шт 5-15 дней склад 8487 шт | |
14 ![]() | |
Труба MOS, MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4. ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Труба MOS, MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4.7A, SO-8, Pd 5W | 41.7 ₽ 2-5 дней склад 34701 шт |
15 ![]() | |
Труба MOS, MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4. ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Труба MOS, MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4.7A, SO-8, Pd 5W | 41.7 ₽ 3-7 дней склад 34701 шт |
16 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | 45.0 ₽ от 500 шт 5-15 дней склад 8487 шт |
57.0 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 8487 шт | |
18 ![]() | |
Транзисторы - МОП-транзисторы | 70.2 ₽ 5000 шт 4-6 недель |
19 ![]() | |
73.2 ₽ 2-7 дней склад 9850 шт | |
20 ![]() | |
Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 81.0 ₽ от 5000 шт 21-42 дня склад 3037 шт |
21 ![]() | |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8 | 81.7 ₽ от 5000 шт 5-10 дней склад 3037 шт |
22 ![]() | |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 83.5 ₽ склад 18213 шт |
23 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | 86.0 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 8487 шт |
24 ![]() | |
Транзисторы - МОП-транзисторы | 86.1 ₽ 500 шт 4-6 недель |
25 ![]() | |
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A | 88.0 ₽ от 2500 шт 5-10 дней склад 2080 шт |
26 Maybo Китай Весь мир | |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC | 88.4 ₽ 25 дней склад 1792 шт |
27 ![]() | |
Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 96.0 ₽ от 1000 шт 21-42 дня склад 3037 шт |
28 ![]() | |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8 | 96.8 ₽ от 1000 шт 5-10 дней склад 3037 шт |
29 ![]() | |
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | 107 ₽ от 5000 шт 5-12 дней склад 24261 шт |
30 ![]() | |
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A | 111 ₽ от 500 шт 5-10 дней склад 2080 шт |
31 ![]() | |
Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 114 ₽ от 250 шт 21-42 дня склад 3037 шт |
32 ![]() | |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8 | 115 ₽ от 250 шт 5-10 дней склад 3037 шт |
33 ![]() | |
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | 120 ₽ от 1000 шт 5-12 дней склад 24261 шт |
132 ₽ от 500 шт 5-12 дней склад 24261 шт | |
35 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | 135 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 8487 шт |
36 ![]() | |
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A | 158 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 2080 шт |
37 ![]() | |
Транзисторы - МОП-транзисторы | 172 ₽ 10 шт 4-6 недель |
38 ![]() | |
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | 176 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 24261 шт |
39 ![]() | |
Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 190 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 3037 шт |
40 ![]() | |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8 | 191 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 3037 шт |
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A | 206 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 2080 шт |
42 ![]() | |
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | 263 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 24261 шт |
43 ![]() | |
Транзисторы - МОП-транзисторы | 272 ₽ 1 шт 4-6 недель |
44 ![]() | |
Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 291 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 3037 шт |
45 ![]() | |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8 | 294 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 3037 шт |
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A | 310 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 2080 шт |
47 ![]() | |
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface ... Далее SI9407BDY-T1-GE3Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | 416 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 24261 шт |
48 ![]() | |
SI9407BDY-T1-GE4 | запрос 2 недели |
49 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 600 шт | |
50 Augswan Китай Весь мир | |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 48318 шт |
51 727GS Китай Весь мир | |
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | запрос склад 3340 шт |
52 ![]() | |
SI9407BDY-T1-GE3 | запрос 2 недели |
SI9407BDY-T1-GE3 05 Окт 2025 12:38 | запрос 7-14 дней |
54 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
запрос от 5000 ₽ 5-7 дней |
USD | 81.8969 |
EUR | 96.0525 |