BSM10GD120DN2E Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE Бренд: Infineon |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 13510 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5500 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 11540 шт |
| Еще 3 строки | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8680 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5080 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4030 шт |
| 2 Augswan Китай Весь мир | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5150 шт | |
IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7992 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5037 шт |
| 3 AiPCBA Китай Весь мир | |
5 769 ₽ 2-7 дней склад 236 шт | |
| 4 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 270 ₽ 2-5 дней склад 164 шт |
| 5 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM10GD120DN2EМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
| 6 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
BSM10GD120DN2E 18 Июн 2025 02:45 | запрос 7-14 дней |
запрос 2 недели | |
BSM10GD120DN2-E3224 18 Июн 2025 02:45 | запрос 7-14 дней |
7  ЧипСити Москва Россия | |
IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 5 484 ₽ 3-7 дней склад 1022 шт |
| 8 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| 9 МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224;Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| USD | 78.5067 |
| EUR | 90.9438 |
