BSM25GD120DN2E Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE Бренд: Infineon |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 7960 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8470 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 14150 шт |
| Еще 3 строки | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 6690 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5010 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4700 шт |
2  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ... Далее BSM25GD120DN2E3224Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R | 56.1 ₽ 2-5 дней склад 14317 шт |
3  AiPCBA Китай Весь мир | |
14 117 ₽ 2-7 дней склад 274 шт | |
4  ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2E 3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
5  Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2EМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
6  Яндекс Маркет Россия | |
Модуль IGBT Infineon силовой BSM25GD120DN2E3224 1200VСтруктура 3-ф ... Далее Модуль IGBT BSM25GD120DN2E3224Модуль IGBT Infineon силовой BSM25GD120DN2E3224 1200VСтруктура 3-ф инвертор Максимальное напряжение КЭ , В 1200 Максимальный ток КЭ при 25& ... | 11 545 ₽ на складе |
7  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ... Далее BSM25GD120DN2E3224Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R | 56.1 ₽ 3-7 дней склад 14317 шт |
8  ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2-E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
9  МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM25GD120DN2E32246Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | запрос 7-14 дней |
10  TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM25GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | запрос 7-14 дней |
| 11 Контест Москва Россия | |
BSM25GD120DN2E3224 03 Ноя 2025 02:51 | 16 831 ₽ |
12  LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2E3Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
13  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
bsm25gd120dn2e3224 05 Ноя 2025 01:03 | запрос 7-14 дней |
| 14 Augswan Китай Весь мир | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6505 шт | |
IGBT - Standard Modules 1200V 25A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 12838 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7296 шт |
| 15 727GS Китай Весь мир | |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT ... Далее BSM25GD120DN2E3224Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT Power Module | запрос склад 13378 шт |
| USD | 80.8861 |
| EUR | 93.3848 |
