![]() ![]() GAN063-650WSAQ 650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) Бренды: NXP Nexperia | Цена от 371 ₽ до 4 045 ₽ Медиана 2 492 ₽ В наличии 18 цен от 7 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ![]() | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 519 ₽ от 1 5-7 дней склад 39257 шт |
Еще 3 цен: … 371 ₽ | |
479 ₽ от 10 5-7 дней склад 39257 шт | |
409 ₽ от 100 5-7 дней склад 39257 шт | |
371 ₽ от 500 5-7 дней склад 39257 шт | |
2 ![]() | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 2 482 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 538 шт |
3 ![]() | |
Полупроводники - Дискретные | 2 282 ₽ 1 шт 4-6 недель |
4 ![]() | |
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В | 2 503 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 538 шт |
5 ![]() | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 4 045 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 9 шт |
3 894 ₽ от 5 шт 5-12 дней склад 9 шт | |
3 744 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 9 шт | |
6 ![]() | |
GAN063-650WSAQ 14 Июн 2025 03:08 | 1 314 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 375 шт |
1 217 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 375 шт | |
1 190 ₽ от 30 шт 5-15 дней склад 375 шт | |
7 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
2 624 ₽ | |
2 943 ₽ | |
2 522 ₽ | |
Еще 2 строки | |
2 776 ₽ | |
2 837 ₽ |
USD | 79.0028 |
EUR | 90.0068 |