Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Полевые транзисторы » Vishay
Найдено: 1,347   Вывод: 1 - 20 (335 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.Vishay SIHG20N50C-E3SIHG20N50C-E3
Тип корпуса: TO-247AC Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор.
  
 SIHG20N50C-E3
Vishay
53.89ЗУМ-ЭК
 SIHG20N50C-E3
Vishay
58.73ЗУМ-ЭК
 SIHG20N50C-E3
Vishay
60.29
62.75
67.12
Элрус
 SIHG20N50C-E3
Vishay
60.90Элитан
 SIHG20N50C-E3
Vishay
63.24
64.66
ICdarom
 SIHG20N50C-E3
Vishay
66.19ЗУМ-ЭК
 SIHG20N50C-E3
Vishay
66.77ЗУМ-ЭК
 SIHG20N50C-E3
Vishay
66.91
91.24
Промэлектроника
 SIHG20N50C-E3
Vishay
68.29
73.05
ICdarom
 SIHG20N50C-E3
Vishay
71.98
74.41
77.86
83.20
89.11
Элрус
 SIHG20N50C-E3
Vishay
72.70
76.52
104.87
Спецэлсервис
 SIHG20N50C-E3
Vishay
73.00
79.50
92.50
Терраэлектроника
 SIHG20N50C-E3
Vishay
74.90Интерия
 SIHG20N50C-E3
Vishay
82.25Контест
 SIHG20N50C-E3
Vishay
82.25Контест
 SIHG20N50C-E3
Vishay
118.00Ким
 SIHG20N50C-E3
Vishay
запросКремний
 SIHG20N50C-E3
Vishay
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 SIHG20N50C-E3
Vishay
запросЭлрус
 SIHG20N50C-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
2.SI2323DS-T1-E3
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:-4.7A; Resistance, Rds On:0.039ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD
  
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
14.20ЗУМ-ЭК
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
14.61ЗУМ-ЭК
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
16.18
25.00
Промэлектроника
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
17.02ЗУМ-ЭК
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
17.55
18.40
19.62
21.53
23.67
Элрус
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
17.96
19.07
20.78
23.29
26.83
Элрус
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
18.55
19.75
ICdarom
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
18.80Элитан
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
18.85ЗУМ-ЭК
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
20.30
21.37
29.29
Спецэлсервис
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
20.31Интерия
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
20.40
22.20
25.90
Терраэлектроника
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
23.13Контест
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
23.13Контест
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
42.00Ким
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
запросОкеан Электроники
 SI2323DS-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI2323DS-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
запросЗУМ-ЭК
 SI2323DS-T1-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
3.TP0610K-T1-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 185 мА
  
 TP0610K-T1-E3
Vishay
6.05ЗУМ-ЭК
 TP0610K-T1-E3
Vishay
6.24ЗУМ-ЭК
 TP0610K-T1-E3
Vishay
7.06
14.11
Промэлектроника
 TP0610K-T1-E3
Vishay
7.42Элитан
 TP0610K-T1-E3
Vishay
7.44
7.89
8.61
9.65
11.11
Элрус
 TP0610K-T1-E3
Vishay
7.95
8.45
ICdarom
 TP0610K-T1-E3
Vishay
8.41
8.85
12.13
Спецэлсервис
 TP0610K-T1-E3
Vishay
8.50
9.20
10.80
Терраэлектроника
 TP0610K-T1-E3
Vishay
8.67Интерия
 TP0610K-T1-E3
Vishay
9.57Контест
 TP0610K-T1-E3
Vishay
9.57Контест
 TP0610K-T1-E3
Vishay
18.00Ким
 TP0610K-T1-E3
Vishay
36.28Десси
 TP0610K-T1-E3
Vishay
запросКонтест
 TP0610K-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 TP0610K-T1-E3
Vishay
запросЭлектроПласт
 TP0610K-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 TP0610K-T1-E3
Vishay
запросКонтест
 TP0610K-T1-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
4.Vishay SI2302CDS-T1-GE3SI2302CDS-T1-GE3
Тип корпуса: SOT23 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор.
  
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
5.98ЗУМ-ЭК
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
6.74ЗУМ-ЭК
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
6.93
7.36
8.01
8.98
10.35
Элрус
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
7.67
13.95
Промэлектроника
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
7.83
8.24
11.30
Спецэлсервис
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
7.85
8.36
ICdarom
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
7.90
8.60
10.00
Терраэлектроника
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
8.32Интерия
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
8.38
8.87
9.62
10.78
12.11
Элрус
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
8.92Контест
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
8.92Контест
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
9.67Элитан
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
18.00Ким
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
запросКремний
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
запросLifeElectronics
 SI2302CDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
 SI2302CDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
запросЗУМ-ЭК
 SI2302CDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
5.SI2301CDS-T1-GE3
Тип корпуса: SOT23 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. Транзистор биполярный стандартный.
  
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
3.19ЗУМ-ЭК
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
3.89
4.09
ICdarom
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
3.92
4.16
4.53
5.08
5.85
Элрус
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
3.98ЗУМ-ЭК
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
4.43Интерия
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
4.43
4.66
6.39
Спецэлсервис
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
4.50
4.90
5.70
Терраэлектроника
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
4.54
8.25
Промэлектроника
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
4.73ЗУМ-ЭК
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
4.97
5.32
5.85
6.67
7.66
Элрус
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
5.05Контест
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
5.05Контест
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
5.10ЗУМ-ЭК
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
6.41
6.83
9.32
Спецэлсервис
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
10.00Ким
 SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
 SI2301CDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
 SI2301CDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
6.Vishay IRFBG30PBFIRFBG30PBF
MOSFET N 1000V 3.1A TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage Vds Typ 1000V Current Id Cont 3.1A Resistance Rds On 5ohm Voltage Vgs Rds on Measurement 10V Voltage Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type
  
 IRFBG30PBF
Vishay
34.55
36.86
50.26
Спецэлсервис
 IRFBG30PBF
Vishay
34.69
35.19
39.66
Элрус
 IRFBG30PBF
Vishay
34.84ЗУМ-ЭК
 IRFBG30PBF
VISH/IR -
37.79
40.12
43.72
49.01
56.45
Элрус
 IRFBG30PBF
Vishay
39.69
54.12
Промэлектроника
 IRFBG30PBF
Vishay
40.28ЗУМ-ЭК
 IRFBG30PBF
Vishay
40.66ЗУМ-ЭК
 IRFBG30PBF
Vishay
42.82
44.45
46.78
50.39
54.39
Элрус
 IRFBG30PBF
Vishay
42.90
46.70
54.50
ДКО Электронщик
 IRFBG30PBF
VISH/IR -
44.02Интерия
 IRFBG30PBF
Vishay
45.31ЗУМ-ЭК
 IRFBG30PBF
Vishay
45.70Элитан
 IRFBG30PBF
Vishay
48.59Контест
 IRFBG30PBF
Vishay
48.59Контест
 IRFBG30PBF
Vishay
запросКремний
 IRFBG30PBF
Vishay
запросTradeElectronics
 IRFBG30PBF
Vishay
запросКонтест
 IRFBG30PBF
Vishay
запросКонтест
7.SI2301BDS-T1-E3
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:-2.4A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.95V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD
  
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
6.93ЗУМ-ЭК
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
8.02
8.52
9.28
10.40
11.99
Элрус
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
8.12ЗУМ-ЭК
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
8.32Элитан
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
9.07
9.55
13.09
Спецэлсервис
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
9.10
10.00
11.60
Терраэлектроника
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
9.24
16.80
Промэлектроника
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
9.63Интерия
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
10.08
10.64
11.48
12.79
14.29
Элрус
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
10.33Контест
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
10.33Контест
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
12.29ЗУМ-ЭК
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
20.00Ким
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
запросОкеан Электроники
 SI2301BDS-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI2301BDS-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
запросЗУМ-ЭК
 SI2301BDS-T1-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
8.SI4425BDY-T1-E3
MOSFET, P REEL 2500, Transistor Type:MOSFET, Transistor Polarity:P, Voltage, Vds Typ:-30V, Current, Id Cont:8.8A, Resistance, Rds On:0.012ohm, Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V, Voltage, Vgs th Typ:-3V, Case Style:SOIC, Termination Type:SMD, Charge, ...
  
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
17.97ЗУМ-ЭК
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
17.98ЗУМ-ЭК
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
19.60Терраэлектроника
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
21.44
21.63
21.82
22.02
22.21
Элрус
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
22.77
24.27
ICdarom
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
24.24
24.24
24.24
Спецэлсервис
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
26.23Контест
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
26.23Контест
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
35.93ЗУМ-ЭК
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
37.42Интерия
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
39.79ЗУМ-ЭК
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
40.40Элитан
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
44.00Ким
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
запросTradeElectronics
 SI4425BDY-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI4425BDY-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
запросПромэлектроника
 SI4425BDY-T1-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
9.2N7002K-T1-GE3
Тип корпуса: SOT23 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор
  
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
1.69ЗУМ-ЭК
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
1.73ЗУМ-ЭК
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
1.92
4.37
Промэлектроника
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.00
2.12
2.31
2.58
2.98
Элрус
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.12
2.30
2.59
3.08
3.71
Элрус
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.21
2.36
ICdarom
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.26
2.37
3.25
Спецэлсервис
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.30
2.50
2.90
Терраэлектроника
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.40Интерия
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.56Контест
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.56Контест
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
2.84ЗУМ-ЭК
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
13.00Ким
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
запросЭлектроПласт
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
запросЗУМ-ЭК
 2N7002K-T1-GE3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
10.Vishay SI2307CDS-T1-GE3SI2307CDS-T1-GE3
Тип корпуса: SOT23 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор.
  
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
5.62ЗУМ-ЭК
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
5.63ЗУМ-ЭК
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
6.71
7.13
7.76
8.70
10.03
Элрус
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
7.17
7.65
ICdarom
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
7.59
7.98
10.95
Спецэлсервис
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
7.70
8.30
9.70
Терраэлектроника
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
7.81Интерия
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
7.89
8.41
11.47
Спецэлсервис
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
8.65Контест
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
8.65Контест
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
18.00Ким
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
запросКремний
 SI2307CDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
 SI2307CDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектроПласт
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
запросПромэлектроника
 SI2307CDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
11.Vishay IRF610PBFIRF610PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 3.3A, 36W, 1.5R)
  
 IRF610PBF
Vishay
9.80ЗУМ-ЭК
 IRF610PBF
Vishay
12.44ЗУМ-ЭК
 IRF610PBF
Vishay
12.46
14.53
Промэлектроника
 IRF610PBF
Vishay
12.81
13.66
18.63
Спецэлсервис
 IRF610PBF
VISH/IR -
14.08
14.95
16.29
18.26
21.03
Элрус
 IRF610PBF
Vishay
14.21
14.63
15.40
16.31
17.19
Элрус
 IRF610PBF
Vishay
14.50Элитан
 IRF610PBF
VISH/IR -
15.92Интерия
 IRF610PBF
Vishay
16.00
17.40
20.30
ДКО Электронщик
 IRF610PBF
Vishay
16.08ЗУМ-ЭК
 IRF610PBF
Vishay
17.40
18.20
20.34
Элрус
 IRF610PBF
Vishay
20.50ЗУМ-ЭК
 IRF610PBF
Vishay
21.96Контест
 IRF610PBF
Vishay
21.96Контест
 IRF610PBF
Vishay
запросОкеан Электроники
 IRF610PBF
Vishay
запросКремний
 IRF610PBF
Vishay
запросПромэлектроника
12.SUD25N15-52-E3
Тип корпуса: TO-252 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор
  
 SUD25N15-52-E3
Vishay
57.15ЗУМ-ЭК
 SUD25N15-52-E3
Vishay
68.19
72.42
78.91
88.45
101.89
Элрус
 SUD25N15-52-E3
Vishay
74.87
79.04
ICdarom
 SUD25N15-52-E3
Vishay
76.60Элитан
 SUD25N15-52-E3
Vishay
77.09
81.15
111.22
Спецэлсервис
 SUD25N15-52-E3
Vishay
77.50
84.50
98.50
Терраэлектроника
 SUD25N15-52-E3
Vishay
79.43Интерия
 SUD25N15-52-E3
Vishay
80.48ЗУМ-ЭК
 SUD25N15-52-E3
Vishay
87.83Контест
 SUD25N15-52-E3
Vishay
87.83Контест
 SUD25N15-52-E3
Vishay
125.00Ким
 SUD25N15-52-E3
Vishay
145.63ЗУМ-ЭК
 SUD25N15-52-E3
Vishay
запросПромэлектроника
 SUD25N15-52-E3
Vishay
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 SUD25N15-52-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
13.Vishay SI2319CDS-T1-GE3SI2319CDS-T1-GE3
Тип корпуса: SOT23 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор.
  
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
8.05ЗУМ-ЭК
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
9.57ЗУМ-ЭК
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
9.63
10.22
11.14
12.48
14.38
Элрус
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
10.19
10.80
ICdarom
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
10.89
11.45
15.70
Спецэлсервис
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
10.91
19.83
Промэлектроника
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
11.00
11.90
13.90
Терраэлектроника
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
11.18Интерия
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
11.87
12.52
13.45
14.91
16.56
Элрус
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
12.39Контест
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
12.39Контест
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
24.00Ким
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектроПласт
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
запросЗУМ-ЭК
 SI2319CDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
14.SI2308BDS-T1-GE3
Тип корпуса: TO-236 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор
  
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
7.24ЗУМ-ЭК
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
7.49ЗУМ-ЭК
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
8.15
8.69
11.85
Спецэлсервис
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
8.25
12.38
Промэлектроника
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
8.62
9.40
10.35
11.17
12.38
Элрус
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
9.84
10.48
ICdarom
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
9.90
10.80
12.50
Терраэлектроника
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
10.41Интерия
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
10.60Элитан
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
15.22Контест
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
15.22Контест
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
22.00Ким
 SI2308BDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
 SI2308BDS-T1-GE3
Siliconix
запросКонтест
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлрус
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
запросЗУМ-ЭК
 SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
15.Vishay SI2307BDS-T1-E3SI2307BDS-T1-E3
Тип корпуса: SOT23 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор.
  
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
10.67ЗУМ-ЭК
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
10.68ЗУМ-ЭК
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
13.11
13.92
15.17
17.01
19.59
Элрус
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
13.53
14.48
ICdarom
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
14.80Элитан
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
14.82
15.60
21.38
Спецэлсервис
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
14.83Интерия
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
14.90
16.20
18.90
Терраэлектроника
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
16.89Контест
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
16.89Контест
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
31.00Ким
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
запросЭлектроПласт
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
запросПромэлектроника
 SI2307BDS-T1-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
16.SI2306BDS-T1-E3
Тип корпуса: SOT23 Производитель: Vishay Intertechnology
  
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
7.96ЗУМ-ЭК
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
9.50
10.09
10.99
12.32
14.19
Элрус
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
10.74
11.31
15.49
Спецэлсервис
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
10.80
11.80
13.70
Терраэлектроника
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
10.80ЗУМ-ЭК
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
11.06Интерия
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
12.24Контест
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
12.24Контест
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
14.00Элитан
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
16.95
17.96
ICdarom
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
18.56ЗУМ-ЭК
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
24.00Ким
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
запросTradeElectronics
 SI2306BDS-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI2306BDS-T1-E3
Siliconix
запросКонтест
 SI2306BDS-T1-E3
Vishay
запросПромэлектроника
17.SUM110P06-07L-E3
Transistor, Transistor Type:MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage, Vds:-60V, Continuous Drain Current, Id:-11000mA, On Resistance, Rds(on):0.0088ohm, Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
100.98ЗУМ-ЭК
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
101.08ЗУМ-ЭК
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
120.49
127.96
139.42
156.27
180.03
Элрус
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
123.00Элитан
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
128.59
137.39
ICdarom
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
136.22
143.39
196.52
Спецэлсервис
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
137.00
149.00
174.00
Терраэлектроника
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
140.34Интерия
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
155.17Контест
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
155.17Контест
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
213.00Ким
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
запросПромэлектроника
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 SUM110P06-07L-E3
Siliconix
запросКонтест
 SUM110P06-07L-E3
Siliconix
запросКонтест
 SUM110P06-07L-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
18.SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 150 В, 0.068 Ом, 10 В, 2 В, SO-8
  
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
24.78ЗУМ-ЭК
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
24.91ЗУМ-ЭК
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
27.30Элитан
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
29.72
31.57
34.39
38.55
44.41
Элрус
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
31.82
33.98
ICdarom
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
33.60
35.37
48.48
Спецэлсервис
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
33.80
36.80
42.90
Терраэлектроника
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
34.62Интерия
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
38.28Контест
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
38.28Контест
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
58.00Ким
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
107.80ЗУМ-ЭК
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
запросМосЧип
 SI4848DY-T1-E3
Vishay
запросПромэлектроника
19.Vishay SI2328DS-T1-E3SI2328DS-T1-E3
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:1.5A; Resistance, Rds On:0.25ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD
  
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
8.07ЗУМ-ЭК
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
8.08ЗУМ-ЭК
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
9.91
10.52
11.47
12.86
14.80
Элрус
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
10.01
10.62
ICdarom
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
10.50Элитан
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
11.20
11.79
16.16
Спецэлсервис
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
11.21Интерия
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
11.30
12.30
14.30
Терраэлектроника
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
12.76Контест
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
12.76Контест
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
23.00Ким
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
запросПромэлектроника
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
запросПромэлектроника
 SI2328DS-T1-E3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
20.Vishay SI2325DS-T1-GE3SI2325DS-T1-GE3
Тип корпуса: TO-236 Производитель: Vishay Intertechnology Inc. MOSFET транзистор
  
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
19.97ЗУМ-ЭК
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
19.99ЗУМ-ЭК
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
23.82
25.29
27.57
30.90
35.60
Элрус
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
25.93
27.83
ICdarom
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
26.93
28.34
38.85
Спецэлсервис
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
27.10
29.50
34.40
Терраэлектроника
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
27.76Интерия
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
28.32
30.21
41.20
Спецэлсервис
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
30.67Контест
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
30.67Контест
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
53.00Ким
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
запросTradeElectronics
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
запросПромэлектроника
 SI2325DS-T1-GE3
Vishay
запросЭлектродеталь-Поставка
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 17.02.2018:
USD56.3554
EUR70.6471
Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
2 канала, 70 МГц, память 20 Мб, частота дискретизации 2,5 ГГц. Емкостной цветной сенсорный, диагональю 10.1 дюймов
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DC-DC повышающий регулируемый преобразователь питания на MT3608
DC-DC регулируемый преобразователь питания
на MT3608
Входное напряжение: 2В-24В
Выходное напряжение: 4В-28В
Входной ток: 2А
Цена: от 22 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru