Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRFH8337TRPBF - International Rectifier Даташит N CH мощность полевой транзистор, HEXFET, 30 В, 12 А, PQFN-8 — Даташит

International Rectifier IRFH8337TRPBF

Наименование модели: IRFH8337TRPBF

11 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8Pin QFN EP T/R
Lixinc Electronics
Весь мир
IRFH8337TRPBF
Rochester Electronics
от 18 ₽
727GS
Весь мир
IRFH8337TRPBF
Rochester Electronics
от 20 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRFH8337TRPBF
International Rectifier
79 ₽
ЧипСити
Россия
IRFH8337TRPBF
Infineon
137 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: N CH мощность полевой транзистор, HEXFET, 30 В, 12 А, PQFN-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97646A
IRFH8337PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS VGS
max

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 10.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRFH8337TRPBF - International Rectifier N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30 V, 12 A, PQFN-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка