KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet BUK9Y12-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK9Y12-55B

Наименование модели: BUK9Y12-55B

16 предложений от 10 поставщиков
МОП-транзистор N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9Y12-55B.115
Nexperia
33 ₽
ЧипСити
Россия
BUK9Y12-55B,115
NXP
53 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BUK9Y12-55B,115
по запросу
ТаймЧипс
Россия
BUK9Y12-55B
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y12-55B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 61.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0081 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
  • Рассеиваемая мощность: 106 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y1255B, BUK9Y12 55B

На английском языке: Datasheet BUK9Y12-55B - NXP MOSFET, N CH, 55 V, 61.8 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России