Datasheet CMF10120D - Cree Даташит N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: CMF10120D
Купить CMF10120D на РадиоЛоцман.Цены — от 936 до 2 327 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков ZFETTM 1x10A Ids, 1200V Vds, RDS On 160 mOhm, SiC MOSFET | |||
| CMF10120D Cree | 936 ₽ | ||
| CMF10120D | от 945 ₽ | ||
| CMF10120D Cree | 1 929 ₽ | ||
| CMF10120D Cree | 2 327 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: Cree
Описание: N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор
Скачать Data SheetСпецификации:
- Continuous Drain Current Id: 24 А
- Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
- On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Полярность транзистора: N Channel
